技术编号：9812530
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，通常需要在半导体器件中设置具有层叠结构的栅极结构(由依次设置于衬底上的第一栅极、介电材料层和第二栅极构成)，以提高半导体器件的性能。然而，随着半导体器件的集成度越来越高，半导体器件中的栅极结构越来越小，导致栅极结构中第一栅极和第二栅极的耦合比例下降，进而导致半导体器件的性能下降。比如，在闪存器件(flashmemory device)中,栅极结构(包括浮栅、介质材料和控制栅)的尺寸越小，浮栅和控制栅之间的耦合比例越小，使得闪存器件具有更高的工作电压和...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。