技术编号：9812546
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。由于SiC(碳化娃)有较高的能隙(energygap)的缘故，因此具备更高的临界崩溃电场的特性，在应用上可以使用高参杂浓度和更薄的N型SiC为衬底即可获得足够的耐压能力。由于提高了衬底区的浓度而且降低其厚度，可以大幅降低衬底区(drift reg1n)的电阻。但是为了让组件跨压落在N型SiC衬底区，需要让P井区的有更高的相对浓度来避免空乏区延伸至Source区域造成耐压能力的下降，这样会提高组件导通的起始电压(threshold voltage)。另外由于...
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