技术编号：9812550
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在显示领域，现有的像素结构一般如图1所示，包括薄膜晶体管001和存储电容002，薄膜晶体管001包括源极01、漏极02、栅极03以及用于导通源极01与漏极02的有源层04，存储电容002包括公共电极05和像素电极06。其中，薄膜晶体管001中的源极01和漏极02分别对应设置在有源层04的两端，并分别通过开设过孔，使源极01与有源层04电性连接以及漏极02与有源层04电性连接。这样的薄膜晶体管，不仅制备工艺繁多，而且其水平方向的不透光的面积较大。然而，在像素...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。