技术编号:9812552
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着薄膜晶体管(TFT)显示技术的飞速发展,显示器件的尺寸也在迅速的增大,但对于大尺寸显示器件,随着栅线和数据线行列数的增加,会导致TFT的充电时间过长,甚至充电不完全,出现灰阶下降等问题,因此需要增大TFT的开态电流。与此同时,如果TFT的关态漏电流过大,会使TFT的电压保持特性降低,功耗增加,因此也需要减小关态漏电流,提高薄膜晶体管的开关比,从而进一步提高薄膜晶体管的性能。为此,现有技术主要通过双栅甚至多栅结构的TFT来实现上述效果,但双栅或多栅结构的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。