技术编号:9812603
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前应用比较广泛的芯片有水平芯片、倒装芯片、垂直芯片三种结构。通过ANSYS模拟分析,三种芯片起关键作用的结构(正极、负极、P_GaN、MQW、n-GaN)在相同条件下的电场强度、电流密度、焦耳热分析。其中,最大电场强度关系水平〈倒装〈垂直;最大电流密度关系垂直〈倒装〈水平;最大焦耳热关系垂直〈倒装〈水平。对于水平结构和倒装结构靠近η电极的台阶处电流密度较大,在P-GaN层和量子阱层电流垂直流向,产生拥挤效应;在GaN层特别是下半部分电流横向流动,在台阶拐...
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