技术编号:9827116
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前在等离子体工艺中,通常是将反应气体由等离子体处理装置的反应腔内上部设置的气体喷淋头导入反应腔室内,反应气体经过射频激发形成等离子体,然后通过反应腔室内下部的静电夹盘的偏置电压使等离子体轰击位于夹盘上的晶片,从而实现对晶片的刻蚀、沉积等等离子体工艺。然而,由于气体输送、电场作用或抽气不均匀等多种原因,容易使产生的等离子体在半导体晶片表面上的不同区域具有不同的分布密度,从而在晶片表面的不同区域产生不同的处理速度,对于沿晶片径向分布的不同区域,如中心区域和边...
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