技术编号:9827129
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。稀磁半导体兼具半导体材料和磁性材料的双重性质,在同一种材料中可利用载流子的电荷和自旋两种自由度构筑出磁、电集于一体的多功能器件,在新型自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。T12基稀磁半导体不仅具有较高的居里温度(高于400K),而且其显现出的室温铁磁磁光效应和室温反常霍尔效应,被认为是构筑室温自旋器件的最佳半导体材料之一。因此,T12基稀磁半导体纳米材料的合成及室温铁磁性研究备受关注,如已报道的Co掺杂T12纳米晶、纳米管和纳米带,Cu,Cr掺杂Ti02纳...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。