技术编号:9827149
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体工艺技术的不断发展,工艺节点逐渐减小,后栅(gate-last)工艺得到了广泛应用,以获得理想的阈值电压,改善器件性能。但是当器件的特征尺寸进一步下降时,即使采用后栅工艺,常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求,鳍式场效应晶体管(Fin FET)作为一种多栅器件得到了广泛的关注。同时,随着集成电路领域器件尺寸的不断减小,硅材料逐渐接近其加工的极限。半导体业界纷纷提出超越硅技术(Beyond Silicon),其中具有较大开发潜力...
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