技术编号:9827199
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在集成电路的制造过程中,场效晶体管(field effect transistor)是一种极重要的电子元件,而随着半导体元件的尺寸越来越小,晶体管的制作工艺步骤也有许多的改进,以制造出体积小而高品质的晶体管。现有的晶体管制作工艺是在基底上形成栅极结构之后,再于栅极结构相对两侧的基底中形成轻掺杂漏极结构(lightly doped drain, LDD)。接着于栅极结构侧边形成间隙壁(spacer),并以此栅极结构及间隙壁做为掩模,进行离子注入步骤,以于基底...
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