技术编号：9827285
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，绝大多数GaN基LED都是在蓝宝石衬底上生长制备高质量的外延层，然而该制备工艺复杂，需要采用价格昂贵的激光剥离设备，生产成本高。为了降低成本，人们开始采用单晶硅作为衬底来生长氮化镓基化合物半导体材料来满足不断扩大的市场需求。相比较下，Si衬底具有成本低、单晶尺寸大且质量高、导热率高、导电性能良好等诸多特点，并且Si的微电子技术十分成熟，在Si衬底上生长GaN薄膜有望实现光电子和微电子的集成。正是因为Si衬底的上述诸多优点，Si衬底上生长GaN薄膜进而...
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