技术编号：9829435
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 近年来，随着LSI的高集成化、高性能化，正在开发新的微细加工技术。化学机械研 磨下也简记为"CMP")法也是其中之一，其是在LSI制造工序、特别是多层布线形成工序 中的层间绝缘膜的平坦化、金属插塞(plug)形成、嵌入布线(镶嵌布线)形成中频繁利用的 技术。该技术例如在美国专利第4944836号说明书中被公开。镶嵌布线技术可W使布线工序 简化、提高成品率和可靠性，认为今后的应用会继续扩大。 在高速逻辑器件中，作为镶嵌布线，目前从低电阻的方面考虑，主要使用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。