一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法技术资料下载

技术编号:9836391

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本发明涉及硅微结构的制备方法,尤其涉及。背景技术随着微机电系统(Micro Electro Mechanical System,MEMS)的不断发展,各类传感器、微执行器等功能装置不断涌现,小尺寸、高功率、高集成度的微能源器件需求日益突出。微能源器件因结构稳定、作用迅速准确、储能密度大和可批量生产等优势,在现代储能领域颇受重视。由于微能源器件结构二维面积有限,无法满足其储能要求,三维结构逐渐成为人们的研究热点。高深宽比三维结构能够充分利用高度空间进行储能以...
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