半导体结构及其形成方法技术资料下载

技术编号:9845357

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本发明涉及半导体制作领域技术,特别涉及一种。背景技术随着超大规模集成电路工艺技术的不断进步,半导体器件的特征尺寸不断缩小,半导体器件的性能越来越强,集成电路芯片的集成度已经高达几亿乃至几十亿个器件的规模,两层以上的多层互连技术被广泛使用。传统的互连结构是由铝金属制备而成的,但是随着半导体尺寸的不断缩小,越来越小的互连结构中承载越来越高的电流,且互连结构的响应时间要求越来越短,传统铝互连结构已经不能满足要求;因此,铜金属已经取代铝金属作为互连结构的材料。与铝...
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