技术编号：9845358
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着近来家电变得越来越大并具有越来越大的容量的趋势，对于具有高击穿电压、高电流和高速开关特性的功率半导体器件的需求日益增加。其中，碳化硅(SiC)半导体器件比现有的硅(Si)半导体器件具有更宽的带隙，因此即使在高温也具有稳定的半导体特性。然而，必须应用即使在高温也稳定的包装材料，以获得高温操作的效果。具体而言，目前用于结合半导体器件的焊料具有低于230°C的熔点，因而无法在最终运行碳化硅半导体器件的250°C的结合温度下使用。为替换目前的焊料，近来已经建议...
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