技术编号:9845478
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。GaN HEMT结构,是化合物半导体产品类别中重要的功率器件,应用于电动汽车,电力传输开关,太阳能逆变器,工业马达驱动等,通常使用于高压环境,在使用时常因突波或浪涌(Surge)产生的器件过电压(Over Stress)或雪崩崩溃现象(Avalanche Break Down),而使器件失效的情形。一般解决的方法为延长器件集极端与闸极端的距离,来增加器件的耐压能力,但因此增加大量的芯片面积,而导致成本大幅增加。发明内容本发明的目的在于提供一种高电子迀移率晶...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。