技术编号:9845504
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有的异质结(hetero-junct1nwith intrinsic thin_layer,HIT)太阳能电池的制作过程大致如下利用PECVD在表面织构化后的N型CZ-Si片的正面沉积很薄的本征α-S1Η层和P型α-S1Η层,然后在硅片的背面沉积薄的本征α-S1Η层和η型α-S1Η层;利用溅射技术在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜(TCO),用丝网印刷的方法在TCO上制作Ag电极。申请号为CN201110155025.5的专利公开了一种背接触异质结太阳能...
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