技术编号:9848515
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 以往,采用如下在形成有配线的内层材料上,将半固化 片或树脂膜和其上层的金属箱层叠一体化,利用激光设置通孔用孔,形成基底无电解镀层 后,通过采用填充电镀液形成的电镀层(以下,有时简称为"填充电镀层"。)来填埋上述通孔 用孔。 此时,尤其对于孔径与绝缘层厚度相比为同等程度、即纵横比为1左右以上的通 孔,有在孔内部容易产生镀层空洞(以下,有时简称为"空洞"。)的倾向。作为抑制这样的镀 层空洞的方法,提出了以低电流密度长时间进行的电镀方法、阶段性地控制电流密度的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。