技术编号:9859570
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。MOCVD(MetaI Organic Chemical Vapor Deposit1n,金属有机化合物化学气相沉淀设备),是制备发光二极管(LED)、半导体激光器(LD)和大功率电子器件的关键设备,尤其在制备GaN基LED方面具有广泛的应用前景和市场需求。现有技术中,大多数GaN基LED的薄膜生长都是利用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长一层氮化镓或氮化铝缓冲层,然后再在缓冲层上生长掺杂(Mg、Al、In等元素W^InGaN/AIGaN异质结,来构成P-N...
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