技术编号:9859847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电材料与器件,更具体地,涉及一种微米级铜锗锌锡硫单晶颗粒的制备方法及其单晶颗粒和太阳能电池。背景技术多元化合物CuInGaSe2(CIGS)薄膜太阳能电池具有较高的转换效率,易于大规模生产,成为了目前最具有发展潜力的太阳能电池材料,目前CIGS电池是世界上光电转换效率最高的薄膜太阳能电池,其最高转换效率已达21.7%。但其组成元素In和Ga在地球上资源缺乏,导致CIGS薄膜电池很难实现太瓦(109kW)级别的大规模应用。铜锌锡硫(CZTS...
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