技术编号：9863218
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于透射电子显微镜截面样品的制备方法，特别涉及透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法，可用于GaN基异质结透明薄膜的透射电子显微镜微观缺陷结构表征。技术背景GaN材料具有禁带宽度大，高击穿电场、高电子饱和速度等物理性质，并且材料质地坚硬，具有出色的化学稳定性和耐高温，抗腐蚀等特点，可大规模应用于高频大功率电子器件和耐高温器件。AlGaN/GaN、InGaN/GaN异质结界面上形成的高浓度的二维电子气，迀移率极高，以此为基础制备的GaN高电子迀移率晶体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。