技术编号：9868074
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。通常，基板处理装置是在将基板装载于工艺腔室内部的状态下关闭门扇而密封内部之后，在安置于载放座的基板上利用工艺气体执行预定的处理工艺。半导体工艺中包括化学气相沉积工艺、等离子干式蚀刻工艺等，其中化学气相沉积工艺通过高频放电而分解气体状态的化合物，然后引发化学反应而在基板上形成薄膜，等离子干式蚀刻工艺则借助于等离子体状态的离子而蚀刻基板材料。在这些工艺中，如果注入到腔室内部的气体中产生涡流，则沉积和蚀刻的均匀度可能下降。而且，在用于执行作为半导体后处理工序的回...
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