技术编号：9868177
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 从20世纪70年代问世至今，分子束外延(MBE)技术已经发展成一种重要的晶体材 料生长技术手段最先利用M邸外延生长的材料即为最重要的虹-V族半导体材料GaAs。 而神化物材料可W成功制备取决于一个关键原因，即过剩的V族元素 As会从样品的表面脱 附掉最终得到符合化学计量比的生长。因此，在多数情况下As原子只有部分可W结合到晶 格当中去并且生长过程中样品表面保持富As状态。As原子的结合率可W定义为结合到晶格 中的As原子量与总入射As束流中As原子量的比...
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