技术编号：9868222
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着半导体技术的不断发展，半导体器件的尺寸越来越小，互连结构的RC延迟效 应对器件的开启速度影响越来越大。为了减小RC延迟效应，现有技术用电阻率小的铜代替 电阻率大的侣，W减小金属互连线的电阻；并且，利用低介电材料化值小于氧化娃）来取代 传统的氧化娃，W减小金属互连线间的电容。由于金属铜难W刻蚀，现有技术利用双镶嵌工 艺制作铜互连结构。 参考图1~图3,为现有技术的铜互连结构制作方法剖面结构示意图。 首先，请参考图1，提供半导体衬底100。在所述半导体衬...
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