技术编号：9868339
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体晶体管、特别是诸如金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)之类的场效应控制的开关器件已经用于多种多样的应用中，诸如电源、功率转换器、电动汽车和空调。这些应用中的许多是高功率应用，其要求晶体管能够容纳很大电流和/或电压。在高功率应用中，对器件的整体性能起实质作用的两个器件参数是开态电阻Ron和击穿电压Vbr。较低的开态电阻Rqn对于功率晶体管而言是合期望的特性，因为其使在器件处于正向传导状态时发生的电阻功率损耗(和对应的热...
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