技术编号：9868345
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种新型砷化镓基双异质结双极晶体管结构设计及制备方法。通过气态源分子束外延(GSMBE)进行材料生长，通过化合物半导体工艺过程实现异质结双极晶体管器件的制备，属于材料制备。背景技术早在1951年，Shockley就首先提出了宽发射结原理。1957年，Kroemer进一步系统阐述了 HBT的原理，指出宽禁带发射区能提高注入效率，抑制基区载流子的反向注入，大大提高电流增益，同时可以通过高掺杂的基区和稍低掺杂的发射区来减小结电容和基区电阻，从而提高晶体...
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