技术编号:9868355
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有电导调制效应的MOS型功率器件凭借导通压降低,开关速度快等优点,在中高压中高频领域有着广泛的应用。低损耗一直是半导体MOS型功率器件的发展重要目标,更低的导通压降保证MOS型功率器件具有更低的导通损耗。对于具有电导调制效应的MOS型功率器件,近表面的载流子存储技术是降低导通压降的有效手段,其中空穴阻挡层结构是表面载流子存储技术最常见的一种。具体方案是在器件的N-耐压层内靠近上表面的一部分引入一层比N-掺杂浓度更高的N型掺杂区,该N型掺杂区部分或者完整的...
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