技术编号:9868359
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。为了能增加半导体结构的载流子迀移率,可以选择对于栅极通道施加压缩应力或是伸张应力。举例来说,若需要施加的是压缩应力,现有技术常利用选择性外延成长(selective epitaxial growth, SEG)技术于一娃基底内形成晶格排列与该娃基底相同之外延结构,例如娃锗(silicon germanium, SiGe)外延结构。利用娃锗外延结构的晶格常数(lattice constant)大于该娃基底晶格的特点,对P型金属氧化物半导体晶体管的通道区产生应...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。