技术编号:9868373
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体器件的发展,期望以迀移率高于硅(Si)的半导体材料来制作高性能半导体器件如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。但是,难以形成高质量的高迀移率半导体材料。发明内容本公开的目的至少部分地在于提供一种具有高质量外延层的半导体器件及其制造方法。根据本公开的一个方面,提供了一种半导体器件,包括衬底;与衬底相隔开的至少一条纳米线;至少一个半导体层,分别绕各纳米线外周形成以至少部分环绕相应纳米线,且绕各纳米线形成的各半导体层彼此分离;在衬底上形成的隔...
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