技术编号:9868376
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路的发展,芯片特征尺寸不断缩小,单个芯片上集成度随之提高,由此带来的功耗问题也愈发严重。据ITRS数据显示,特征尺寸缩小到32nm节点时,功耗会是预计趋势的8倍,即随着特征尺寸的逐步缩小,传统MOS器件就功耗方面将不能满足性能需求。除此之外,MOSFET尺寸的减小面临室温下亚阈摆幅最小为60mv/decade的限制。基于铁电栅介质的MOS场效应晶体管与传统MOSFET相比,不受该亚阈摆幅的限制,并且可以有效的降低功耗。Jaesung Jo等人在“...
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