技术编号:9868429
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,大部分GaN基蓝光发光二极管(英文lightemitting d1de,缩写LED)与GaN基白光LED采用蓝宝石衬底。由于蓝宝石和GaN材料一直存在晶格失配和热失配问题,而AlN材料与GaN材料、蓝宝石衬底间仅有较小的晶格不匹配,因此将AlN作为缓冲层置入到蓝宝石衬底和GaN之间。具体地,先在蓝宝石衬底上生长一 AlN缓冲层,制成AlN模板,再在AlN模板上生长GaN外延,制成LED外延片。在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题A...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。