技术编号：9868482
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 STT-MRAM(Spin Transfer Torque-Ma即etic Random Access Memory)是一种基于 自旋转移矩的磁非挥发存储器，具有高密度、高速度、低功耗、寿命长和非易失等优点，被认 为是最有希望的"通用"存储器之一。STT-MRAM存储技术利用电流产生的STT效应作用于 自由层（存储层），并改变自由层的磁化方向，从而在存储单元中产生高、低两个阻态，实现 数据的存取。 尽管STT-MRAM存储技术在许多方面优于其他存储技术，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。