技术编号:9869610
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 射频功率放大器广泛应用在雷达、制导W及通信等领域,在微波低频段大功率忍 片大多采用LDMOS功放管,其中LDMOS功放管是一种相对比较脆弱的器件,尤其是和低功率 小信号放大管相比,主要表现在如下几方面静态工作点溫漂、热敏感性高和射频过载敏感 性高。所W功率管的外围保护电路是至关重要的。传统的外围电路由于器件较多和不同批 次差异性问题,导致体积过大、成本较高W及不利于大批量生产。 针对于静态工作点溫漂问题,传统的LDMOS功放管静态工作点的栅极电压设置是 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。