技术编号:9869631
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体器件的制备工艺中,通常采用射频电源激发反应腔室内的工艺气体形成等离子体,等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子,其与位于该等离子体环境中晶片发生物理和/或化学反应,以实现对晶片的表面完成沉积、刻蚀等的工艺。在实际应用中,为保证反应腔室可以从射频电源获得最大功率,则应该使得射频电源的输出阻抗和负载阻抗相匹配,而由于工艺的过程中作为负载的等离子体的阻抗随时发生变化,因此,需要借助阻抗匹配系统在工艺过程中实时对射频电源的输出...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。