技术编号：9869716
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。由于深亚微米(deep sub-micro)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的推进,数字电路变得越来越小，且功耗越来越低。也就是说，所述工艺的伸缩性(process scaling)允许更多的晶体管在同一个区域实现，或是需要一个更小的区域来实现相同的晶体管数量。因此，为了使便携式设备(如移动电话)减小尺寸和延长电池寿命，需要通过深亚微米CMOS工艺来实现各种电路。针对无线电设计方面，非常需要将射频(RF)/模拟密集的无线电零件转换成更多的数字密集型设计...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。