技术编号：98718
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明与半导体器件的制造方法有关。本发明作出之前，用常规半导体工艺制造半导体双极器件，由于硅单晶中的杂质和缺陷往往引起管道漏电和表面漏电，从而严重影响器件的性能，降低了成品率。一般用来制造集成电路或半导体器件的硅单晶片的厚度约300～400μm，而实际器件所在的区域，即有源区却只深入晶片正面10μm左右的深度，所以，为了把晶片中的有害杂质吸向晶片背面，使之离开有源区，可以在制备器件之前或工艺过程中用离子注入吸杂技术将高能粒子轰击晶片背面，造成严重损伤层，然后进行适当方式的退火，以此达到减少P-n结漏电的目的。美国专...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。