技术编号:9872546
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为使用氮化物半导体的电子器件,一般采用使用了由AlGaN和GaN构成的异质结的构造。具体的构造如下,包括形成于蓝宝石或者Si等衬底上的由氮化物半导体构成的缓冲层;形成于上述缓冲层上的一般由GaN构成的沟道层;形成于上述GaN沟道层上的由AlGaN构成的势皇层;与形成于上述AlGaN势皇层与上述GaN沟道层的界面的二维电子气区域形成欧姆接触的源极和漏极;形成于上述源极与上述漏极之间的栅极。在蓝宝石衬底或者SiC衬底上形成氮化物半导体的情况下,虽然不会有大问...
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