技术编号：98786
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种太阳电池，更具体地说，涉及一种p-n结型太阳电池，在该太阳电池的半导体基片中形成有一个p-n结，该太阳电池还包括一电极(或接头)，此电极是由含有元素周期表第五(V)族中的一种化学元素的金属涂料所制成的。在通常的p-n结型太阳电池中，要在前接头和半导体基片的扩散层之间获得一欧姆接触是有困难的。其理由是在前接头和半导体基片的扩散层之间形成有一层电绝缘材料制成的抗反射涂层。在上述结构中，电流电压(I-V)特性的填充因子(F.F.)会减小，则能量转换效率也会降低。因此，本发明的一个目的是要提供一改进了的太阳电...
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