技术编号：9882823
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。GaN作为第三代宽禁带半导体材料的代表，由于其宽带隙、高耐压、高热导等优异性能，在高功率LED、紫外LD、以及高频、耐高温电力电子器件方面有广泛的应用前景，已引起业界的广泛关注。目前，由于制备大尺寸的单晶GaN自支撑衬底还较为困难，因此市场上的GaN基器件主要采用MOCVD技术在蓝宝石/碳化硅等异质衬底上制备GaN外延层。但是，MOCVD技术外延生长GaN速度很慢(每小时仅几个微米)，致使生产成本较高。相比MOCVD技术，HVPE技术具有设备简单、外延生长...
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