技术编号：9884583
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前底水油藏水平井已大量应用，由于油气藏的非均质性、趾跟效应等影响，使得产液剖面不均衡而导致油气藏过早见水，最终缩短油气井寿命并严重影响油气田采收率。20世纪90年代出现的流量控制装置(Inf low Control Device，ICD)和井下流量控制阀(Inflow Control Valve，ICV)为更好地解决井下流量控制，实现均衡排液提供了一种新的途径。但ICD属于一种被动控制装置，其尺寸在完井之前或在完井时就设定好了，一旦投入生产，就不能再进行...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。