技术编号：9889993
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明一、本发明涉及一种纳米异质结太阳能电池及其制备方法，具体地说是基于硫属亚铜化合物异质结的纳米太阳能电池及其制备方法。二、背景技术自1959年第一块基于平面硅的集成电路发明以来，平面硅工艺一直主导着集成电路产业的发展。历经半个世纪的发展，集成电路已由包含五个电子元件的第一块集成电路板发展到超大规模集成电路，单个电路芯片集成的元件数达几亿甚至几十、上百亿个。集成电路发展的过程实际上就是器件特征尺寸不断缩小、集成度不断提高、性能价格比不断降低的过程。太阳...
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