技术编号:9905385
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。PVTCphysical vapor transport,物理气相沉积)法碳化娃(SiC)单晶生长的基本过程包括原料分解升华、质量传输和在籽晶上结晶三个过程。当加热到一定的温度后原料主要分解为S1、Si2C、SiC2气体。当原料到籽晶的距离较小时(约1mm以下),主要是原料面到籽晶的直接升华;当距离较大时,生长主要是由壁到籽晶的气体传输。生长过程中,首要解决的是温场的均匀分布问题,以保证生长界面的均匀性,为二维层状生长。另外一个问题是Si的流失问题,Si的...
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