技术编号：9913020
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体技术的发展，晶体管的特征尺寸不断等比例缩小，为了避免短沟道效应，栅氧化层的厚度也需近似成比例地减薄，32nm技术节点时传统的S12栅介质需减薄到Inm之下，这将使得电子以直接隧穿的方式通过栅介质层而导致栅漏电流的增大。与S12相比，高K介质材料因其具有较大的介电常数，使其在相同的等效氧化层厚度(EOT)的条件具有更大的物理厚度，从而抑制电子的直接隧穿，减小栅漏电流。其中，氧化铪(HfO2)因具有较大的介电常数(?25)、相对较大的带隙(?5.8e...
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