技术编号：9913193
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 包括金属电极的电容器，诸如金属氧化物金属（MOM)或金属绝缘体金属（M頂）电 容器，使用诸如铝或铜的金属组分以形成电容器。MOM电容器的存储能力为小于10毫微微 法拉每平方微米（又称飞法每平方微米，fF/ μ m2)。M頂电容器的存储能力为约30fF/ μ m2 至约 lOOfF/μπι2。 在某些情况下，使用具有高介电常数的介电材料（即，高k介电材料）提高每单位 面积的存储能力。在某些情况下，使用通过原子层沉积（ALD)所形成的薄电极来提高每单 位面...
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