技术编号:9913244
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。发光二极管(Light Emitting D1de,简称LED)是可以把电能转化成光能的半导体二极管。基于氮化镓的II1-V族化合物半导体材料具有特有的带隙范围、优良的光电性能、优异物化性能,在蓝、绿、紫、紫外光、白光等发光二极管中得到广泛的应用。目前制备LED芯片的方法包括在蓝宝石衬底上通过外延生长制备GaN半导体层;在GaN半导体层上制备P型电极和N型电极,并减薄蓝宝石衬底;对蓝宝石衬底上进行激光划片工艺;对GaN半导体层进行裂片,得到若干独立的LED...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。