技术编号:9913256
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种光栗浦发光器件,以及单片集成光栗浦发光器件的制备方法。背景技术高效节能InGaN/GaN量子阱发光二极管(LED)逐渐取代传统的,高能耗,低发光效率的发光灯泡。但是这类二极管在黄光、绿光和红光波段发光效率低,且颜色不稳定,其原因在于量子阱中发光介质InGaN内部的压应力。这种压应力主要来源于晶格失配,即晶格参数大的InGaN生长在晶格参数小的GaN晶面上。通过压电效应,形成一个纵向电场。这个电场总是将InGaN量子阱的电子与空穴分开,因此它们...
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