技术编号：9916736
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。日本专利申请公开第2013-48230号(JP2013-48230A)公开了形成有IGBT和二极管的半导体装置。半导体装置的IGBT包括势皇区和柱区。势皇区是具有高η型杂质浓度的η型区，并形成在体区的下侧上。柱区从半导体基板的顶表面延伸到势皇区。在半导体装置中，IGBT的体区(P型)和IGBT的势皇区(η型)形成ρη结。使得ρη结难以通过柱区导通。即，由于势皇区经由柱区连接到上部电极，所述势皇区的电位接近上部电极的电位。即使当使得上部电极变成比下部电极高的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。