技术编号：9916749
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。AlGaNInN等之类的氮化物半导体具备直接迀移型的能带结构，通过Al、In及Ga的组合，能够调节从0.66eV(InN)到6.2eV(AlN)的能带隙，从而可使用于具备从红外线区域到紫外线区域的较宽的波长区域的发光元件。作为氮化物系半导体的代表性的应用领域有全彩显示器、交通信号灯、一般照明及光通信设备的光源，并以紫外线、白色发光元件(light emitting d1des)或激光二极管(laser d1de)的形态来被应用。这样的氮化物系发光元件包括位...
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