技术编号：9922712
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着科技的发展和生活方式的转变，人们对于植入式生物芯片以及可穿戴装置等在内的健康辅助设备的需求越来越高。这些设备大都由电池供电，为延长其使用寿命，要求内部存储器SRAM能够以较低的功耗运行。但是，由于存储阵列多采用交织准则排布，SRAM工作时会产生严重的半选干扰问题。如图1所示，读写操作时，未选中单元受位线预充电平干扰，存储节点Q电压抬升，不仅导致了严重的短路功耗消耗，也使得单元鲁棒性大幅降低，数据难以正常维持。针对此，科研人员从不同角度进行研究，以试图解...
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