技术编号：9922932
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。由于半导体器件高度集成，故非平面晶体管中的栅极诱导漏极泄漏(GIDL)特性对半导体器件的性能产生重要的影响。发明内容各种实施例涉及一种半导体器件及用于制备其的方法，该半导体器件能够改善栅极诱导漏极泄漏(GIDL)电流以及电流驱动能力。此外，各种实施例涉及一种能够改善刷新特性的存储单元。此外，各种实施例涉及一种具有改善的性能的电子设备。在实施例中，半导体器件可以包括衬底，沟槽形成在衬底中；第一杂质区和第二杂质区，形成在衬底中，通过沟槽彼此分开；栅电极，形成为...
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