技术编号:9922940
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件;本发明还涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制造方法。背景技术如图1所示,是现有屏蔽栅沟槽MOSFET器件的结构示意图;现有屏蔽栅沟槽MOSFET器件的电流流动区由多个原胞周期性排列组成,各所述原胞包括形成于半导体衬底如娃衬底101表面的N型外延层102,在N型外延层102形成有沟槽511,屏蔽电极411由填充于所述沟槽511底部的多晶硅组成,沟槽栅421由填充于沟槽511的顶部的...
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